Американские учёные испытали единичную ячейку памяти, основанную на новом принципе и новом материале. В перспективе эта разработка должна повысить плотность записи информации и скорость работы памяти, при одновременном сокращении расхода энергии в разы.

Исследователи из университета Пардью (Purdue University) применили для запоминания информации органический сегнетоэлектрический полимер (PVDF-TrFE). Он способен переключать свою поляризацию при приложении внешнего электрического поля. Два направления поляризации, соответственно, отражают хранение 0 или 1.

Добавив к такому полимеру традиционные полупроводники и подложку, а также кремниевые нанопровода, авторы изобретения получили ячейку энергонезависимой памяти. Её назвали FeTRAM (ferroelectric transistor random access memory, то есть «сегнетоэлектрическая транзисторная оперативная память»).

Наименование новинки не случайно напоминает один из типов памяти, уже присутствующий на рынке, — FeRAM (сегнетоэлектрическая оперативная память). У обеих технологий много общего, в частности, использование сегнетоэлектрика для хранения информации.

Но есть и принципиальное отличие. В экспериментальной памяти биты хранятся в транзисторе на основе сегнетоэлектрического материала, а в FeRAM подобный материал образует конденсатор.

Отсюда следует важное преимущество FeTRAM: в ней процесс считывания – не деструктивный, то есть не разрушает состояние ячейки. В то время как в элементе FeRAM считывание требует регенерации данных.
Однако пока новая технология – совсем сырая. Её ещё потребуется дорабатывать, особенно при переходе от единичных ячеек к крупным массивам, поясняют изобретатели. Пока же реальная ячейка FeTRAM прожорливее, чем могла бы быть.