Корейский гигант Samsung Electronics в официальном пресс-релизе сообщил общественности о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти объемом 32 Гбайт, выполненных по нормам 30-нм класса, с применением 4-гигабитных чипов DDR3 DRAM. Модули предназначены для облачных вычислений и применения в высокопроизводительных серверных системах.

«С началом производства 32 Гбайт модулей памяти компания задала новую планку на рынке памяти DRAM для серверов, ПК и мобильных устройств», — прокомментировал событие исполнительный вице-президент отдела по продажам памяти и маркетингу Ванхун Хонг (Wanhoon Hong). Затем он добавил, что в планах компании на второе полугодие значится наращивание объемов производства энергоэффективных чипов DDR3 DRAM объемом 4 Гбит, выполненных по нормам 20-нм класса, что должно оказать положительное влияние на развитие быстрорастущего рынка экологичных решений Green IT».

По данным производителя, 4-Гбит микросхемы DDR3 30-нм класса в среднем на 50% более производительные, чем аналогичные решения на базе техпроцесса в 40 нм. Новые регистровые модули памяти (RDIMM) объемом 32 Гбайт при номинальном напряжении питания 1,35 В функционируют на частоте 1866 МГц, опережая на 40% решения аналогичного объема, но выполненные по нормам 40 нм, рабочее напряжение и частота которых составляют 1,5 В и 1333 МГц, соответственно.